一期投資19.3億!中電科南京外延材料產業基地官宣投產

作者 | 發布日期 2023 年 11 月 14 日 18:05 | 分類 企業

11月10日,中電科半導體材料有限公司南京外延材料產業基地宣布正式投產運行。

資料顯示,中電科半導體材料有限公司是中國電子科技集團有限公司二級單位,專業從事第一代半導體硅材料、第三代半導體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)材料及新型電子功能材料、特種光纖材料、襯底材料的研發、生產。

據悉,中電科半導體材料有限公司南京外延材料產業基地項目于2021年9月27日簽約落戶南京江寧開發區綜合保稅區,占地面積約10萬平方米。該項目分兩期實施,其中一期投資19.3億元,將建設成立第三代化合物外延材料、8-12英寸硅外延材料產業基地等。項目達產后,將形成8-12英寸硅外延片456萬片/年,6-8英寸化合物外延片12.6萬片/年的生產能力。

2022年11月,中電科南京外延材料產業基地實現了首片硅外延和碳化硅外延下線,標志著該產業基地進入試生產和驗證階段。

圖片來源:拍信網正版圖庫

該項目用一年多時間完成簽約落戶到進入試生產,再用一年時間完成試生產到正式投產運行,項目進度相當迅速。

據了解,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料,由于其寬帶隙、高電子飽和漂移速度、高熱導率、大擊穿場強等優勢,是制備高功率密度、高頻率、低損耗電子器件的理想材料。

其中,碳化硅功率器件具有能量密度高、損失小、體積小等優勢,在新能源汽車、光伏、軌道交通、大數據等領域具有廣闊的應用前景;氮化鎵射頻器件具有高頻、高功率、較寬頻帶、低功耗、小尺寸的優勢,在5G通訊、物聯網、軍用雷達等領域有廣泛的應用。

而在加工制備中,襯底上制備高質量外延材料是提高器件性能及可靠性,推動第三代半導體產業化應用的關鍵。(化合物半導體市場Zac整理)

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