總投資5億元,揚杰科技SiC模塊封裝項目簽約

作者 | 發布日期 2024 年 02 月 20 日 18:00 | 分類 企業

近日,在江蘇省揚州市邗江區維揚經濟開發區先進制造業項目新春集中簽約儀式上,揚州揚杰電子科技股份有限公司(以下簡稱揚杰科技)新能源車用IGBT、碳化硅(SiC)模塊封裝項目完成簽約。該項目總投資5億元,主要從事車規級IGBT模塊、SiC MOSFET模塊的研發制造。

圖片來源:拍信網正版圖庫

作為國內少數集半導體分立器件芯片設計制造、器件封裝測試、終端銷售與服務等產業鏈垂直一體化(IDM)的廠商,揚杰科技近年來持續深耕功率半導體領域,推動公司總營收從2014年的5.3億元增長到2022年的54億元,凈利潤從1億元增長到10多億元。

據揚杰科技黨委書記、副董事長梁瑤介紹,公司每年投入的研發費用占總營收的比例超過5%,在IGBT等新產品領域的研發費用占比超過了15%甚至20%。據稱,揚杰科技目前在全球功率分立器件企業中排名第12位。其中,功率二極管市占率位居中國第一,全球第二;整流橋和光伏旁路二極管市占率均位居全球第一。

展望2024年,揚杰科技將有三大投入:一是IGBT項目上馬;二是車用模塊項目投入;三是越南工廠建設。其中,越南工廠建成投產后可以助力公司品牌進軍歐美市場。

在第三代半導體領域,揚杰科技已有多年的技術、產品及產能儲備。早在2015年,揚杰科技便募資1.5億元投向SiC芯片、器件研發及產業化建設項目。

產品方面,2022年上半年,揚杰科技開發了650V 2A-40A、1200V 2A-40A SiC SBD二極管產品,并獲得國內Top 10光伏逆變器客戶的認可,完成了批量出貨。MOSFET產品方面,公司1200V 80mΩ SiC MOSFET系列產品也已獲得客戶認可,并實現量產。

產能方面,2023年4月,揚杰科技與江蘇省揚州市邗江區簽署了《6英寸碳化硅晶圓項目進園框架合同》,擬投資新建6英寸晶圓生產線項目,總投資約10億元。該項目分兩期實施建設,項目全部建成投產后,將形成6英寸SiC晶圓產能5000片/月。

此外,2023年6月,揚杰科技宣布與東南大學簽署合作協議,組建“東南大學—揚杰科技寬禁帶功率器件技術聯合研發中心”?;诖搜邪l中心,雙方將在功率半導體領域(尤其是寬禁帶功率器件領域)進行深層次合作,開發世界級水平、具有自主知識產權的、符合市場與應用需求的功率半導體芯片,包括發展戰略研究、硅基功率器件設計、寬禁帶功率器件設計等項目的開展,加速功率半導體芯片設計及應用等研究成果的產業化。

隨著此次SiC模塊封裝項目簽約落地,揚杰科技有望進一步深化第三代半導體產業鏈布局。(集邦化合物半導體Zac整理)

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