Author Archives: huang, Mia

理想汽車與SiC企業芯聯集成達成合作

作者 |發布日期 2024 年 03 月 01 日 17:50 | 分類 企業
3月1日,芯聯集成宣布與理想汽車正式簽署戰略合作框架協議。 據介紹,按照雙方協議簽署,芯聯集成將和理想汽車在碳化硅(SiC)領域展開全面戰略合作,雙方將一起積極推動產品化進程,共同提升雙方的市場競爭力。同時,雙方也在積極討論下一步將在模擬IC等領域展開深度合作。 理想汽車供應鏈副...  [詳內文]

1.2億,GaN企業Wise-integration獲投資

作者 |發布日期 2024 年 03 月 01 日 17:45 | 分類 企業
2月29日,法國氮化鎵(GaN)電源和IC數字控制的先驅Wise-integration,宣布獲得1500萬歐元的融資(折合人民幣約1.2億元)。 本輪融資將推動該公司旗艦產品WiseGan和WiseWare的大規模生產和商業部署,其顛覆性的數字控制技術,以及為全球采用這些解決方...  [詳內文]

SiC龍頭英飛凌重組自身業務

作者 |發布日期 2024 年 02 月 29 日 18:48 | 分類 功率
2月28日,英飛凌表示,目前公司正在進一步加強和精簡其銷售組織。英飛凌宣布,從3月1日起,公司的銷售團隊將圍繞“汽車”、“工業與基礎設施”以及“消費者、計算與通信”這三個以客戶為中心的銷售領域進行組建。 source:拍信網 其中,分銷商和電子制造服務管理(DEM)銷售組織將繼...  [詳內文]

EPC宣布推出首款具有1mΩ導通電阻的GaN FET

作者 |發布日期 2024 年 02 月 29 日 16:42 | 分類 功率
2月27日,EPC推出采用緊湊型3 mm x 5 mm QFN封裝的 100 V、1mΩ EPC2361 GaN FET,為DC-DC轉換、快速充電、電機驅動和太陽能MPPT提供更高的功率密度。 EPC稱,這是市場上導通電阻最低的GaN FET,與EPC的上一代產品相比,功率密度...  [詳內文]

SiC營收達10億元,ASM International公布2023年業績

作者 |發布日期 2024 年 02 月 29 日 16:41 | 分類 企業
2月27日,半導體設備廠商ASM International公布了其2023年第四季度財報。 報告顯示,2023年第四季度,公司收入下降了13%,總計為6.329億歐元(折合人民幣約49億元)。盡管收入有所下降,但公司強調,電源/模擬/晶圓領域的銷售表現強勁是支撐第四季度營收的重...  [詳內文]

擴大SiC晶圓生產,SK Siltron CSS獲得39億元貸款

作者 |發布日期 2024 年 02 月 23 日 17:51 | 分類 企業
2月22日,美國能源部(DOE)貸款項目辦公室(LPO)宣布向SK Siltron CSS, LLC承諾有條件地提供5.44億美元(折合人民幣約為39億元)貸款,用于擴大生產美國電動汽車(EV)電力電子設備所需的高品質碳化硅(SiC)晶圓。 公開資料顯示,SK Siltron C...  [詳內文]

Qualtec計劃2027年大規模生產新一代化合物半導體

作者 |發布日期 2024 年 02 月 23 日 17:50 | 分類 企業
2月20日,據日刊工業新聞報道,電子元器件廠商Qualtec將于2027年開始大規模生產超寬帶隙半導體材料二氧化鍺 (GeO2) 晶圓。 source:Qualtec 據了解,GeO2被認為是下一代功率半導體,并且是使用即將普及的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的下一代化合物...  [詳內文]

晶圓級立方SiC單晶生長取得突破

作者 |發布日期 2024 年 02 月 22 日 17:51 | 分類 功率
碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導率等優異性能,在新能源汽車、光伏和5G通訊等領域具有重要的應用。與目前應用廣泛的4H-SiC相比,立方SiC(3C-SiC)具有更高的載流子遷移率(2-4倍)、低的界面缺陷態密度(低1個數量級)和高的電子親和勢(3...  [詳內文]

1.65億,SiC設備廠商Aehr收到新訂單

作者 |發布日期 2024 年 02 月 22 日 17:50 | 分類 企業
2月21日,據外媒報道,美國半導體生產測試和可靠性認證設備供應商Aehr,從現有客戶那里獲得了FOX晶圓級測試和老化產品的后續新訂單,總額達2300萬美元(折合人民幣約1.65億元)。 這些產品將用于碳化硅(SiC)器件的晶圓老化和篩選,以滿足生產和工程認證所需??蛻舻倪@些訂單的...  [詳內文]

GaN開啟了“無限復制”時代!

作者 |發布日期 2024 年 02 月 21 日 17:55 | 分類 功率
2月21日,光州科學技術院(GIST,校長Kichul Lim)宣布,學校電氣工程與計算機科學學院的Dong-Seon Lee教授的研究團隊已經開發出了僅采用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)的氮化鎵(GaN)半導體遠程同質外延技術。 外延技術,即在半導體制造中將半導體材料生長成...  [詳內文]