最新文章

擴產SiC,SK siltron在美獲7700萬美元補貼

作者 |發布日期 2024 年 04 月 12 日 18:00 | 分類 企業
據外媒報道,4月11日,韓國半導體晶圓制造商SK siltron宣布將從美國密歇根州政府獲得7700萬美元(約5.57億人民幣)的補貼,這筆資金包括投資補貼和稅收優惠。 圖片來源:拍信網正版圖庫 報道稱,SK siltron正在擴建其位于美國密歇根州貝城的SiC晶圓工廠,由其美...  [詳內文]

青禾晶元8英寸SiC鍵合襯底技術獲突破

作者 |發布日期 2024 年 04 月 12 日 10:15 | 分類 碳化硅SiC
4月11日,青禾晶元官方宣布,公司近日通過技術創新,在SiC鍵合襯底的研發上取得重要進展,在國內率先成功制備了8英寸SiC鍵合襯底。 8英寸N型SiC復合襯底(source:青禾晶元) 青禾晶元介紹,對比6英寸SiC晶圓,8英寸SiC晶圓可用面積幾乎增加一倍,芯片產出可增加80...  [詳內文]

全球首片8英寸藍寶石基GaN HEMTs晶圓發布

作者 |發布日期 2024 年 04 月 11 日 18:00 | 分類 產業
4月10日,在2024武漢九峰山論壇上,西安電子科技大學郝躍院士、張進成教授課題組李祥東團隊與廣東致能科技聯合攻關,展示了全球首片8英寸藍寶石基GaN HEMTs晶圓。通過調控外延工藝,外延片不均勻性控制在4%以內,所制備的HEMTs器件的cp測試良率超過95%,擊穿電壓突破了2...  [詳內文]

募資18億,SiC設備相關廠商拉普拉斯IPO獲批

作者 |發布日期 2024 年 04 月 11 日 18:00 | 分類 企業
4月9日,上交所官網披露,拉普拉斯新能源科技股份有限公司(以下簡稱拉普拉斯)首次公開發行股票并在科創板上市的注冊申請已在3月27日獲批生效。 拉普拉斯此次IPO擬募資18億元,募集資金主要用于光伏高端裝備研發生產總部基地項目、半導體及光伏高端設備研發制造基地項目以及補充流動資金。...  [詳內文]

Coherent獲得1500萬美元資助,發力碳化硅和單晶金剛石

作者 |發布日期 2024 年 04 月 11 日 17:55 | 分類 企業
4月10日,Coherent宣布,公司基于CHIPS法案獲得1500萬美元的資金,用于加速下一代寬帶隙和超寬帶隙半導體(分別為碳化硅和單晶金剛石)的商業化。 source:拍信網 據了解,該法案還為國防部 (DoD) 提供20億美元(折合人民幣約145億元),用于加強和振興美國...  [詳內文]

加碼SiC,華為申請晶體生長專利

作者 |發布日期 2024 年 04 月 10 日 18:20 | 分類 企業
天眼查資料顯示,4月5日,華為技術有限公司公開一項“擋板、芯片、SiC晶體、晶體生長爐和生長方法”專利,申請公布號為CN117822097A,申請日期為2022年9月28日。 source:天眼查 該專利摘要顯示,本申請實施例公開了一種擋板、芯片、SiC晶體、晶體生長爐和生長方...  [詳內文]

8英寸擴軍,世紀金芯8英寸SiC加工線正式貫通

作者 |發布日期 2024 年 04 月 10 日 18:20 | 分類 企業
今年2月,合肥世紀金芯半導體有限公司(以下簡稱世紀金芯)8英寸SiC加工線正式貫通并進入小批量生產階段,在8英寸SiC襯底量產方向更進一步。 source:世紀金芯 據介紹,世紀金芯采用模擬軟件,首先對坩堝、保溫層和加熱器等組成的熱場進行模擬計算,營造符合實際生長過程的溫度和溫...  [詳內文]

與AI算法結合,國產碳化硅檢測設備亮相!

作者 |發布日期 2024 年 04 月 10 日 17:25 | 分類 企業
4月9日,在中國光谷舉辦的2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導體產業博覽會上,華工科技發布碳化硅檢測靈睛Aeye系列新品,包括國產碳化硅襯底外觀缺陷檢測智能裝備、碳化硅晶圓關鍵尺寸測量智能裝備。 華工激光精密系統事業群PCB微電子事業部總經理王莉介紹道:“通過自主研發散光抑制圖...  [詳內文]

價值115億,同光股份首登全球獨角獸榜

作者 |發布日期 2024 年 04 月 10 日 17:22 | 分類 產業
4月9日,胡潤研究院發布《2024全球獨角獸榜》,列出了全球成立于2000年之后,價值10億美元以上的非上市公司。 據了解,胡潤研究院自2017年以來追蹤記錄獨角獸企業,這是第六次發布全球獨角獸榜。本次榜單估值計算的截止日期為2024年1月1日,在發布之前更新了估值的重大變化。 ...  [詳內文]

鎵仁半導體推出2英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底

作者 |發布日期 2024 年 04 月 10 日 13:51 | 分類 功率
4月9日,杭州鎵仁半導體有限公司(下文簡稱“鎵仁半導體”)宣布正式推出2英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底,在(010)襯底的研發生產方面再創新高。 source:鎵仁半導體 據介紹,氧化鎵(β-Ga2O3) 具有禁帶寬度大、擊穿場強高、巴利加優值大等優點,使基于氧化鎵的功率器...  [詳內文]